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MZ-V9S1T0BW三星990EVO plus 1T M.2 NVME固态硬盘 返回

产品详情

MZ-V9S1T0BW三星990EVO plus 1T M.2 NVME固态硬盘



基本参数
产品型号990 EVO Plus
产品定位消费类
存储容量1TB
接口类型M.2 PCIe接口
硬盘尺寸M.2-2280
闪存构TLC三层单元
缓存HMB
通道Gen4.0×4/Gen5.0×2
存储介质三星 V-NAND TLC


性能参数
读取速度7250MB/s
写入速度6300MB/s
4K随机读1050K IOPS
4K随机写1400K IOPS
电源功耗平均功耗(系统水平):平均读取速度5.5W/写入速度4.8W
功耗(待机):典型60mW
平均无故障时间150万小时



其它参数
S.M.A.R.T.支持支持
TRIM功能支持TRIM
外形尺寸80.15×22.15×2.38mm
产品重量9g
工作温度0-70℃
其它性能设备睡眠模式支持,自动垃圾回收算法,AES 256-bit加密 (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (加密驱动器)
质保期限5年
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